平らな面に、ITの基盤を

株式会社富士通研究所は、平面状の物質なら何にでも電源トランジスタの作製が可能な技術を開発したことを発表した。

具体的には、酸化亜鉛（ZnO）系の材料を用いて、対象となる物質の上に高耐圧の電源トランジスタを作製し、トランジスタのチャネル部分をポリマー被膜で保護することによって、高耐圧での動作を実現したとのこと。

同技術により、銅やガラス、プラスチックなど、あらゆる平面状の物質への電源回路の作製が可能になり、センサーや圧電素子などへ応用することも可能となるといわれている。

ちなみに、酸化亜鉛（ZnO）とは、低損失の電源トランジスタの実現が可能となるワイドバンドギャップ半導体であり、どこにでもトランジスタを形成することが可能な材料のこと。最近では、ガラス基板の上に形成する液晶テレビなどのディスプレイ向けトランジスタとして、研究開発が行われている。

ただし、酸化亜鉛（ZnO）を、高耐圧の電源トランジスタとして作製するには、高耐圧を実現する上で必要となるチャネル材料の低濃度化が難しい点や、電界集中の原因となる材料表面に存在する電荷トラップ抑制という課題が残っていた。

そこで、同社では、材料としてインジウムガリウム酸化亜鉛（IGZO）を用い、電源トランジスタのチャネル部分をポリマー被膜で保護することによって、電源用の100V電圧でのトランジスタ動作に成功した。さらには、高耐圧トランジスタをパッケージ材料である銅基板上に直接作製できることから、放熱性の確保が容易である上に、コストの低減も可能となることが期待されている。

今後は、電源トランジスタとして要求される高耐圧化と、オン抵抗の低減を進め、2015年頃には、IT機器への搭載を目指すとのこと。

まさに、IT社会の基盤となる技術。ただし、何でもいいということは、なんでもよくないと、同義語の場合がある。汎用的でいながら、なおかつ専門的な技術として、今後他社ベンダとの優位性を保てるかが重要となるのではないだろうか。



株式会社富士通研究所
リリース